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絵ときでわかる 半導体デバイス

絵ときでわかる 半導体デバイス

  • 著者髙橋 寛 監修大西 一功藤田 実
  • 定価2,750円 (本体2,500円+税)
  • 判型A5
  • 196頁
  • ISBN978-4-274-03590-6
  • 発売日2002/11/26
  • 発行元オーム社

2色刷「絵ときでわかる」電気・電子基本書シリーズの一冊!

 本書は、半導体デバイスについて必須テーマを厳選し、豊富な図、イラストによる2色刷りのわかりやすい解説を施した。
 各テーマ読切りスタイルで解説。半導体デバイスの基礎から特徴が、理論だけでなく実際の技術に即した知識として学べる。
1章 半導体の基礎知識
1-1 電気抵抗
1-2 半導体材料
1-3 真性半導体
1-4 不純物半導体
1-5 半導体の抵抗率
2章 ダイオード
2-1 pn接合ダイオード
2-2 pn接合の接触電位差と空乏層
2-3 pn接合を流れる電流
2-4 拡散電流
2-5 空乏層の性質
2-6 トンネル効果と電子雪崩効果
3章 バイポーラトランジスタ
3-1 バイポーラトランジスタの記号
3-2 トランジスタの構造
3-3 バイアスのかけ方と動作原理
3-4 トランジスタの不純物濃度と電流増幅率
3-5 トランジスタの低周波での等価回路
3-6 トランジスタの高周波での等価回路
3-7 電流増幅率の周波数特性
3-8 トランジスタインバータ回路とスイッチング特性
4章 電界効果トランジスタ
4-1 電界効果トランジスタの構造と動作原理
4-2 MIS構造の動作
4-3 電流―電圧特性
4-4 MOSFETの等価回路
4-5 サブスレショールド電流
4-6 SOI MOSFETの等価回路
5章 ショットキー障壁形電界効果トランジスタ
5-1 接合形電界効果トランジスタの構造と動作原理
5-2 ショットキー障壁形電界効果トランジスタの構造と動作原理
5-3 GaAs MESFET
6章 超高周波用素子
6-1 インパットダイオード
6-2 ガンダイオード(電子遷移効果素子)
6-3 高電子移動度トランジスタ(HEMT)
6-4 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
7章 光素子
7-1 受光素子
7-2 発光素子
8章 MOSFETの応用
8-1 メモリ
8-2 半導体メモリ
8-3 SRAMのメモリ・セル構造
8-4 DRAMのメモリ・セル構造
8-5 ROMのセル構造
8-6 不揮発メモリの構成法
8-7 EPROMのメモリ・セル構造
8-8 EEPROMのメモリ・セル構造
8-9 フラッシュメモリのメモリ・セル構造
8-10 CCD素子
9章 集積回路
9-1 集積回路の構造
9-2 SRAMの構成と動作
9-3 DRAMの構成と動作
9-4 ROMおよび不揮発メモリの構成
9-5 マイクロプロセッサの構成と動作