内容紹介
最新かつ重要なテーマを厳選した研究・学術情報書
本シリーズは、応用物理分野の標準的なテキストである＜基礎コース＞と、最新の研究・学術情報書である＜専門コース＞に分かれている。
本書は、＜専門コース＞の一冊として、半導体技術の核となる半導体・金属界面での反応の分析・評価を軸にまとめられており、今後の新たな研究開発に向けて、さまざまな示唆に富む内容となっている。
このような方におすすめ
応用物理、電気、電子、材料系の技術者･研究者の方々
目次
主要目次
1章 序論
2章 Si‐金属界面での低温反応
3章 分析手法の基礎
4章 ラザフォード後方散乱法
5章 電子分光法
6章 その他の分光法
詳細目次
1章 序論
2章 Si-金属界面での低温反応
Si-Au界面での低温反応
Si-金属界面での低温反応のメカニズム
Si-Pd界面での低温反応
Si-金属界面反応のまとめ
その後の発展
3章 分析手法の基礎
エネルギー、単位、粒子
粒子-波動の二重性と結晶格子
ボーアの原子モデル
4章 ラザフォード後方散乱法
高速イオンと物質との相互作用
情報の性格と表面層分析の実際例
チャネリング現象
高速イオンによる表面構造解析
5章 電子分光法
電子分光法の基礎
オージェ電子分光法
光電子分光法
6章 その他の分光法
電子エネルギー損失分光法
X線分光法
走査型プローブマイクロスコピー
索引
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